技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRFR5305TRPBF |
批号: | 21+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 888997 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
Id-连续漏极电流: | 31 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 42 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
下降时间: | 63 ns |
上升时间: | 66 ns |
典型关闭延迟时间: | 39 ns |
典型接通延迟时间: | 14 ns |
单位重量: | 4 g |
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