技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRF540ZSPBF |
批号: | 21+ |
封装: | TO-263 |
数量: | 889015 |
QQ: | |
描述: | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-100V-36A(Tc)-92W(Tc)-D2PAK |
数据列表: | IRF540Z (S,L) PbF; |
标准包装: | 50 |
包装: | 管件 |
零件状态: | Digi-Key 停产 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | HEXFET® |
其它名称: | *IRF540ZSPBF |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 36A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 26.5 毫欧 @ 22A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 63nC @ 10V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 1770pF @ 25V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 92W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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