技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IPG20N04S4L-07 |
封装: | TDSON-8 |
批次: | 2016+ |
数量: | 3500 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TDSON-8 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 20 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 16 V |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 65 W |
配置: | Dual |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 1.27 mm |
长度: | 5.9 mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 5.15 mm |
零件号别名: | IPG20N04S4L07ATMA1 SP000705484 IPG2N4S4L7XT IPG20N04S4L07ATMA1 |
单位重量: | 300 mg |
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