产品简介
技术参数品牌：INFINEON型号：IPB100N10S3-05封装：TO263批次：1841+数量：3500制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-263-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：100ARdsOn-漏源导通电阻：4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPB100N10S3-05 |
| 封装： | TO263 |
| 批次： | 1841+ |
| 数量： | 3500 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-T |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 20 ns |
| 上升时间： | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 60 ns |
| 典型接通延迟时间： | 34 ns |
| 零件号别名： | IPB100N10S305ATMA1 SP000261243 IPB1N1S35XT IPB100N10S305ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
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