产品简介
技术参数品牌:ON型号:MUN5216DW1T1G批号:21+封装:SO/DIP数量:60000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:双极晶体管-预偏置RoHS:是配置:Dual晶体管极性:NPN典型输入电阻器:4
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | MUN5216DW1T1G |
批号: | 21+ |
封装: | SO/DIP |
数量: | 60000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 预偏置 |
RoHS: | 是 |
配置: | Dual |
晶体管极性: | NPN |
典型输入电阻器: | 4.7 kOhms |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 160 |
集电极—发射极电压 VCEO: | 50 V |
集电极连续电流: | 0.1 A |
峰值直流集电极电流: | 100 mA |
Pd-功率耗散: | 187 mW |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | MUN5216DW1 |
直流电流增益 hFE 值: | 160 at 5 mA at 10 V |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
宽度: | 1.25 mm |
单位重量: | 12 mg |
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