产品简介
技术参数品牌:ST型号:STP9NM50N批号:20+封装:原厂封装数量:30000QQ:描述:MOSFETN-CH500V7
详情介绍
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技术参数
品牌: | ST |
型号: | STP9NM50N |
批号: | 20+ |
封装: | 原厂封装 |
数量: | 30000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
详细描述: | 通孔-N-通道-500V-5A(Tc)-70W(Tc)-TO-220AB |
数据列表: | STx9NM50N(-1); |
标准包装: | 1,000 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停產 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | MDmesh™ |
其它名称: | 497-7537-5 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 500V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 5A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 560 毫欧 @ 3.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 20nC @ 10V |
Vgs(值): | ±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 570pF @ 50V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 70W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
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