数据列表 PHP,PHB,PHD96NQ03LT;
标准包装 800
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchMOS ™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) @ 5V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 115W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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