数据列表 IRLR3802PbF, IRLU3802PbF;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） ，
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 毫欧 @ 15A，
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 41nC @ 5V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2490pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（值） 88W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63