数据列表 SI4465ADY;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) ,
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧 @ 14A,
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 85nC @
Vgs(值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3W(Ta),(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(", 宽)
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