技术参数
品牌: | TI(德州仪器) |
型号: | CSD18531Q5A |
批号: | 21 |
封装: | |
数量: | 15000 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSONP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.6 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 36 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 156 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | CSD18531Q5A |
晶体管类型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度: | 4.9 mm |
下降时间: | 2.7 ns |
上升时间: | 7.8 ns |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 4.4 ns |
单位重量: | 87.800 mg |
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