技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IRF7832TRPBF |
| 批号： | 20 |
| 封装： | SOIC-8_150mil |
| 数量： | 4722 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.32 V |
| Qg-栅极电荷： | 34 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.75 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 77 S |
| 下降时间： | 13 ns |
| 上升时间： | 6.7 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 21 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 零件号别名： | IRF7832TRPBF SP001570470 |
| 单位重量： | 506.600 mg |
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