主要用途：

　　用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。适用于各大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。

　　系统组成:

　　主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

　　技术指标：

　　极限真空度：≤6.7×10-6 Pa

　　恢复真空时间：从1×105 Pa抽至5×10-5 Pa≤20min

　　系统漏率：6. 7×10-10Pa.L/S；

　　真空室：Ф300球型真空室 （定制），

　　基片尺寸：可放置4英寸 可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。

　　二维扫描机械平台，执行两自由度扫描,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,质量流量控制器1路

　　烘烤温度：150℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃）