技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NST65010MW6T1G |
封装: | SOT-363 |
批次: | 2115+ |
数量: | 3000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格: | 详细信息 |
封装 / 箱体: | SMD/SMT |
晶体管极性: | SOT-363-6 |
配置: | PNP |
集电极—发射极电压 VCEO: | Dual |
集电极—基极电压 VCBO: | - 65 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | - 80 V |
集电极—射极饱和电压: | - 5 V |
直流电集电极电流: | - 300 mV |
Pd-功率耗散: | - 100 mA |
增益带宽产品fT: | 380 mW |
最小工作温度: | 100 MHz |
工作温度: | - 55 C |
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