产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFB31N20DPBF封装:TO-220AB批次:21+数量:11870类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
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技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IRFB31N20DPBF |
封装: | TO-220AB |
批次: | 21+ |
数量: | 11870 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 82 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 107 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 2370 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 3.1W(Ta),200W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
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