技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | 2SK3019TL |
封装: | SOT523 |
批次: | 1208+ |
数量: | 3000 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-416-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 100 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.7 mm |
长度: | 1.6 mm |
系列: | 2SK3019 |
晶体管类型: | 1 N-Channel MOSFET |
宽度: | 0.8 mm |
下降时间: | 80 ns |
上升时间: | 35 ns |
典型关闭延迟时间: | 80 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
零件号别名: | 2SK3019 |
单位重量: | 8 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。