技术参数
品牌: | ON |
型号: | MBRD835LT4G |
批号: | 21+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 4500 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
系列: | SWITCHMODE™ |
二极管类型: | 肖特基 |
电流 - 平均整流 (Io): | 8A |
速度: | 快速恢复 lt; 500ns,> 200mA(Io) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
工作温度 - 结: | -65°C ~ 150°C |
电压 - DC 反向 (Vr)(值): | 35 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 510 mV @ 8 A |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1.4 mA @ 35 V |
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