产品概述
去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程，在电子束曝光，紫外曝光等微纳米加工工艺后，都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题，将直接影响后续工艺的顺利完成。P-MD使用性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
规格参数
| P-MD参数(标准配置) | ||
| 外部尺寸 | 641*533*451mm | |
| 真空腔尺寸 | 直径210mm*230mm | 不锈钢腔体 |
| 电极尺寸 | 125*125mm 间距20-75mm可调 | 二个多控自适应平板电极 |
| 等离子体发生器 | RF射频发生器，频率：13.56MHz | 自适应阻抗匹配电源 |
| 功率 | 0-200W连续可调 | 精度1W |
| 工艺气体要求 | 1/4英寸卡套接口/15-30psig | |
| 工艺气体种类 | CF4=99.97%; O2=99.996%；N2=99.99% | AR=99.999% 其它气体咨询 |
| 气体控制 | 2路针式气体流量阀 | 0-300ml |
| 控制方式 | 4.3寸触摸屏 | 界面显示实时工作状态 |
| 保护装置 | 一键急停保护按钮 | |
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