技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMG1012T-7 |
批号: | 19+ |
封装: | SOT523 |
数量: | 32590 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-523-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 630 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 400 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 6 V, + 6 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 500 mV |
Qg-栅极电荷: | 736.6 pC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 280 mW |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | DMG1012 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | Diodes Incorporated |
下降时间: | 12.3 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 7.4 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 26.7 ns |
典型接通延迟时间: | 5.1 ns |
单位重量: | 2 mg |
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