产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRF630NPBF封装:TO220AB批次:21+数量:8000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:200VId-连续漏极电流:9
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IRF630NPBF |
封装: | TO220AB |
批次: | 21+ |
数量: | 8000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | 9.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 300 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 23.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 82 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.4 mm |
正向跨导 - 最小值: | 4.9 S |
下降时间: | 15 ns |
上升时间: | 14 ns |
典型关闭延迟时间: | 27 ns |
典型接通延迟时间: | 7.9 ns |
单位重量: | 6 g |
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