产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI2312BDS-T1-GE3批号：20+封装：SOT-23数量：30000QQ：描述：MOSFETN-CH20V3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2312BDS-T1-GE3 |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | SOT-23 |
| 数量： | 30000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 14 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-20V-3.9A（Ta）-750mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236） |
| 数据列表： | Si2312BDS; |
| 标准包装： | 3,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名称： | SI2312BDS-T1-GE3TR |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 3.9A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 31 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 12nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±8V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 750mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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