产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:DMN6068SE-13批号:20+封装:SOT-223-3数量:30000QQ:制造商:DiodesIncorporatedFET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):4.1A(Ta)驱动电压(RdsOn
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技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMN6068SE-13 |
批号: | 20+ |
封装: | SOT-223-3 |
数量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.1A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 68 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-261-4,TO-261AA |
漏源电压(Vdss): | 60V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 10.3nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 502pF @ 30V |
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