技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | FZT658TA |
封装: | SOT-223 |
批次: | 21+ |
数量: | 100000 |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-4 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 400 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 400 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 7 V |
集电极—射极饱和电压: | 500 mV |
直流电集电极电流: | 500 mA |
Pd-功率耗散: | 2 W |
增益带宽产品fT: | 50 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | FZT658 |
集电极连续电流: | 0.5 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V |
直流电流增益 hFE 值: | 50 |
高度: | 1.65 mm |
长度: | 6.7 mm |
宽度: | 112 mg |
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