少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。
少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。对太阳能电池来说，少子寿命越短，电池效率越低。
少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流。
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本公司产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司*计量分析测试技术，为晶圆、碳化硅、硅片、氧化镓、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。
一. 晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪。
参数 | 方阻 | 电阻率（厚度180um） | 方法 | |
探头量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω∙cm | 涡流法 | |
探头性能 | 动态重复性 | 静态重复性 | 示值误差 | |
1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω∙cm） < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω∙cm） < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω∙cm） < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω∙cm）< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探头Ф20*145mm | 下探头Ф20*50mm | ||
信号采集 | 采样率：上限1500Sps | |||
采样个数：上限512点/单次 | ||||
采样缓存：8级数据记录缓存 | ||||
数据传输：RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
传输协议：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用户自定义协议等 | ||||
供电电源 | 24V/1A | |||
二. 迁移率（霍尔）测试仪
技术指标 | 样品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形样品； 迁移率测量范围：100-20000（cm2/v.sec)； 方块电阻测量范围：100-3000（ohm/sq)； 载流子面密度测量范围：1E11-1E14（cm-2）； 电磁铁磁场强度：1.0T 探头线圈直径：15mm |
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