产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:FDN5618P批号:21+封装:SOT23数量:30000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SSOT-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FDN5618P |
批号: | 21+ |
封装: | SOT23 |
数量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SSOT-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 1.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 170 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 mW (1/2 W) |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.12 mm |
长度: | 2.9 mm |
系列: | FDN5618P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 1.4 mm |
正向跨导 - 最小值: | 4.3 S |
下降时间: | 8 ns |
上升时间: | 8 ns |
典型关闭延迟时间: | 16.5 ns |
典型接通延迟时间: | 6.5 ns |
零件号别名: | FDN5618P_NL |
单位重量: | 30 mg |
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