技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPT007N06N |
封装: | HSOF-8 |
批号: | 23+ |
数量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-HSOF-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 300 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 750 uOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 216 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 375 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | OptiMOS 5 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
正向跨导 - 最小值: | 160 S |
下降时间: | 22 ns |
上升时间: | 18 ns |
典型关闭延迟时间: | 76 ns |
典型接通延迟时间: | 38 ns |
零件号别名: | IPT007N06NATMA1 SP001100158 IPT007N06NATMA1 |
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