少子寿命测量仪BCT-400
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。

BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.

因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。

作为最易于使用的测量工具--BLS，只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话，请选择BCT-400。

产品简述：

1.用途（高频光电导）

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块

体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体

内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

2.设备组成

光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜1μｓ

红外光源波长：～μm（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A



Sinton 少子寿命测量仪，BCT-400测试硅锭，BLS-I测试硅棒，Sinton X-闪光灯头，Sinton X5D闪光灯头，Sinton X闪光灯座。

Sinton BCT-400少子寿命测量仪



BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。



Sinton BLS-I少子寿命测量仪

BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源

BCT-400 设备将为光伏客户生产高质量太阳能级 单晶硅片提供有力的质量保证手段。