回收IGBT模块收购IGBT模块 ，回收3 4G模块，拆机也可回收。

　　IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

高价收购及回收SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克) Infineon(英飞凌)、FUJI(富士)、SANREX(三社)、MITSUBISHI(三菱)、DYNEX(丹尼克斯)等各种品牌及型号的IGBT模块，可控硅模块，功率模块，整流桥模块，二极管模块：

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　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT (双极型三极管)和

　　MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合 了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

　　- -个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N加区称为源区,附于其上的电极称为源极。N加区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括加和P一区)(沟道在该区域形成) ,称为亚沟道区( Subchannel region)。而在漏区另-侧的P+区称为漏注

　　入区( Drain injector ) ,它是IGBT*的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道, 切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET , 所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P加基极注入到N一层的空穴(少孔),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。