IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。富士igbt功率模块是功率电力电子器件按一定的功能组合再灌封成一个模块。 igbt功率模块是以IGBT为内核的混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和优化的门极驱动电路，以及快速保护电路构成。
绝缘栅双极晶体管其基本包装为三个端点的功率级半导体元件，其特点为高效率及切换速度快，为改善功率级BJT运作的工作状况而诞生。
IGBT结合了场效晶体管栅极易驱动的特性与双极性晶体管耐高电流与低导通电压压降特性，IGBT通常用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。大型的IGBT模组应用于数百安培与六千伏特的电力系统领域，其模组内部包含数个单一IGBT元件与保护电路。
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