根据以上分析，有以下几个方面需要注意： 
    1 ）    EXB841 只有    1 ． 5us 的延时，慢关断动作时间约  8us ，与使用手册上标明的“对 < 10us 的过电流不动作”是有区别的。

    2 ）由于仅有 1 ． 5us 的延时，只要大于 1 ． 5 us 的过流都会使慢关断电路工作。由于慢关断电路的放电时间常数 t2 较小，充电时间常数 t3 较大，后者是前者的 10 倍，因此慢关断电路一旦工作，即使短路现象很快消失，  EXB841 中的脚   3 输出也难以达到   Uge ＝＋  15V 的正常值。如果 EXB841 的 C4 已放电至终了值（ 3 ． 6V ），则它被充电至  20v 的时间约为      140us ，与本脉冲关断时刻相距   140us 以内的所有后续脉冲正电平都不会达到  Uge= ＋  15V ，即慢关断不仅影响本脉冲，而且可能影响后续的脉冲。

    3 ）由图  2 － 67 可知光耦合器 IS01 由十 5V 稳压管供电，这似乎简化了电路，但由于   EXB841 的脚   1 接在   IGBT 的   E 极，   IGBT 的开通和截止会造成其电位很大的跳动，可能会有浪涌尖峰，这无疑对 EXB841 可靠运行不利。另外，从其 PCB 实际走线来看，光耦合器阴叮的脚 8 到稳压管 VZZ 的走线很长，而且很靠近输出级（ V4 、 V5 ），易受干扰。

    4 ）      IGBT 开通和关断时，稳压管     VZ 2 易受浪涌电压和电流冲击，易损坏。另外，从印刷电路板    PCB 实际走线看，      VZ 2 的限流电阻 R10 两端分别接在   EXB841 的脚    1 和脚    2 上，在实际电路测试时易

被示波器探头等短路，从而可能损坏   VZ2 ，使   EXB841 不能继续使用。

     （ 3 ）驱动器的应用 EXB850 和 EXB851 驱动器分别能驱动 150A ／ 600V 、  75A ／ 1200V 、  400A ／ 600V 、  300A ／ 1200V 的  IGBT ，驱动电路信号延迟 <4Us ，适用于高达   10kHz 的开关电路。应用电路如图 2 － 69 所示。如果 IGBT 集电极产生大的电压尖脉冲，可增大 IGBT 栅极串联电阻 Rg 来加以限制。

    EXB84O ／ EXB841 高速型驱动器分别能驱动 150A ／ 600V 、 75A ／ 1200V 、 400A ／ 600V 、 200A ／ 1200V 的 IGBT ，驱动电路信号延迟＜ lus ，适用于高达 40kHz 的开关电路。它的应用电路如图 2 － 70 所示。

     （  4 ）使用    EXB 系列驱动器应注意的问题

    l ）输入与输出电路应分开，即输入电路（光耦合器）接线远离输出电路，以保证有适当的绝缘强度和高的噪音阻抗。

    2 ）使用时不应超过使用手册中给出的额定参数值。如果按照推荐的运行条件工作， IGBT 工作情况*佳。如果使用过高的驱动电压会损坏  IGBT ，而不足的驱动电压又会增加  IGBT 的通态压降。过大

的输入电流会增加驱动电路的信号延迟，而不足的输入电流会增加 IGBT 和二极管的开关噪声。

    3 ）     IGBT 的栅、射极回路的接线长度一定要小于     lm  ，且应使用双绞线。

    4 ）电路中的电容器 C1 和 C2 用来平抑因电源接线阻抗引起的供电电压变化，而不是作为电源滤波用。

    5 ）增大  IGBT 的栅极串联电阻  Rg ，抑制   IGBT 集电极产生大的电压尖脉冲。

     *后，再谈一下 IGBT 的保护问题。因为 IGBT 是由 MOSFET 和 GTR 复合而成的，所以 IGBT 的保护可按 GTR 、 MOSFET 保护电路来考虑。主要是栅源过压保护、静电保护、准饱和运行、采用 R － C － VD 缓冲电路等等。这些前面已经讲过，故不再赘述。另外应在 IGBT 电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证安全可靠工作。应该指出，必须保证 IGBT 不发生擎住效应。具体做法是，实际中 IGBT 使用的*大电流不超过其额定电流。

图 2-70    EXB841 典型应用电路