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EUPEC模块/英飞凌模块命名方式

2025年04月24日 09:52:57      来源:北京健科芯坤科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:4

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EUPEC是欧洲电力半导体与电子公司(European Semiconductors and Electronics Company)
的英文缩写。中文注册名称为:优派克。EUPEC成立于1990年,由西门子和德国另一家大的电器公司
(AEG)生产电力半导体器件的两个部门合并而成,实际上经营电力半导体器件近五十年。1996年,
西门子半导体集团购买了AEG百分之五十的股份,从此EUPEC成为西门子半导体的99%子公司。
1999年,西门子半导体集团从西门子独立出来,公开上市,形成Infineon(英飞凌)公司,
现在EUPEC是Infineon的99%子公司。专业生产IGBT模块,晶闸管(Thyristor),整流二极管等
电力半导体器件。

EUPEC电力半导体器件广泛地应用于从发电、输电、配电到用电的各种电力电子设备中。
EUPEC产品从传统的三大领域:电气传动、牵引、电力系统,正朝家用电器,新能源,
汽车电子应用方向扩展;从主要提供电力半导体器件,向提供驱动电路,逆变器配件,
系统方案等方向发展。

 

1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为 Infineon,总部设在德国慕尼黑。1998年公司成为
半导体制造商之一,在亚、欧、美三大洲5个国 家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个
研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有 Motorola、IBM、MoselVitelic 等。据机
构07芯片生产排行,Infineon 公司排在 Intel、SAMSUNG、TI、ST 之后,为五大芯片生产商。
公司专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、移动性和安全性,为汽车、工业电子装置、芯
片卡、安全产品和各种通信产品,提供半导体和系统解决方案。产品素以高可靠性、**品质和创
新性 著称,并在模拟和混合信号、射频功率器件,以及嵌入式控制装置,拥有**的设计技术。 

infineon(英飞凌)为原西门子六大集团之一的电子零件部,现独立上市.为三大半导体厂商之一.
infineon的IGBT单管在中国的电磁炉应用占有80%的. EUPEC(优派克)为infineon(英飞凌)全资
子公司,其生产的IGBT模块的芯片均为infineon生产.德国infineon公司生产的IGBT模块品种繁多,满足
客户不同需求。为使客户查询方便,本手册按电压等级进行分类,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、
3300V、4500V/6500V五种电压等级IGBT模块。

 

 

 

 

西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。

 

 

 

 

IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。

 

 
 
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
 GA-------- 一单元模块
 GB----------两单元模块(半桥模块)
 GD----------六单元模块
 GT----------三单元模块
 GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
 DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
   
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降型
KT--------低饱和压降高频型
 
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型 
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管 
18 ----------耐压×100 
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率(B、C、F等)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构  
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

 

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