产品简介
技术参数品牌：IR型号：IRF6201TRPBF封装：旧库存批次：李生HK带回数量：45制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRF6201TRPBF |
| 封装： | 旧库存 |
| 批次： | 李生HK带回 |
| 数量： | 45 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 27A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 2.45 毫欧 @ 27A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1.1V @ 100µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | 2.5W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | 8-SO |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 195nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 8555pF @ 16V |
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