技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGWT40HP65FB |
批次: | 21+ |
数量: | 6688 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | HB |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值): | 2V @ 15V,40A |
功率 - 值: | 283 W |
开关能量: | 363µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 210 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | -/142ns |
测试条件: | 400V,40A,5 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 140 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
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