技术参数
| 品牌： | RENESAS |
| 型号： | 2SK2225-80-E#T2 |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | |
| 数量： | 291000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Renesas Electronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-3PF |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1500 V |
| Id-连续漏极电流： | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 12 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 50 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 下降时间： | 50 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 0.45 S |
| 高度： | 5.5 mm |
| 长度： | 26.5 mm |
| 上升时间： | 50 ns |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间： | 150 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 宽度： | 15.5 mm |
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