产品简介
技术参数品牌:ST型号:STF15NM65N批号:20+封装:原厂封装数量:60000QQ:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650VId-连续漏极电流:15
详情介绍
技术参数
品牌: | ST |
型号: | STF15NM65N |
批号: | 20+ |
封装: | 原厂封装 |
数量: | 60000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 15.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 270 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 35 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | STF15NM65N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 26 ns |
上升时间: | 8 ns |
典型关闭延迟时间: | 80 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
单位重量: | 330 mg |
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