技术参数
品牌: | ON |
型号: | BUV21G |
批号: | 21+ |
封装: | SO/DIP |
数量: | 60000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-204-2 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 200 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 250 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 7 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.5 V |
直流电集电极电流: | 40 A |
Pd-功率耗散: | 250 W |
增益带宽产品fT: | 8 MHz |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | BUV21 |
封装: | Tray |
高度: | 8.51 mm |
长度: | 38.86 mm |
技术: | Si |
宽度: | 26.67 mm |
商标: | ON Semiconductor |
集电极连续电流: | 40 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 20 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 100 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 13.762 g |
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