技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MJE3439G |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-225-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 350 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 450 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 0.5 V |
| 直流电集电极电流： | 0.3 A |
| Pd-功率耗散： | 15 W |
| 增益带宽产品fT： | 15 MHz |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MJE3439 |
| 高度： | 11.04 mm |
| 长度： | 7.74 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 2.66 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 集电极连续电流： | 0.3 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 30 |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 500 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 681 mg |
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