产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRF7807VTR批号:04+封装:SOP8数量:1908QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRF7807VTR |
批号: | 04+ |
封装: | SOP8 |
数量: | 1908 |
QQ: | |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 8.3A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 14nC @ 5V |
Vgs(值): | ±20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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