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进口变送器中国代理商：上海沪贡

压差变送器美国texas进口硅芯片，压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款国际*技术的超高性能压力变送器，测量精度高达0.075级，的双过载保护膜设计，单向过压高达40MPa

智能单晶硅压力变送器采用美国texas*进的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款国际*技术的超高性能压力变送器。单晶硅压力传感器位于金属本体最顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。这些*的单晶硅压力传感器封装技术确保了Focp(智能)单晶硅压力变送器可从容应对*的化学场合和机械负荷，同时具备的抗电磁力，足以应对苛刻的工业环境应用，是名副其实的隐形仪表。

◆*的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款国际* 技术的高性能压力变送器

◆双膜片过载结构，从容应对高过载考验

◆用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精 度与快速应答

◆显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好

◆按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷

◆高性能Focbar单晶硅压力变送器，国际*技术与中国智造的*结合

◆坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载 的强大保障。

1、性能测试标准及基准条件测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟输出，端基微调至设定值

2、性能指标总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响 】、和其它影响的综合误差 典型精度：±0.075%量程上限 年稳定性：±0.2%量程上限/5年

3、参考精度依据标准和测试基准条件，包括线性（BFSL）、迟滞、重复性。校准温度：20℃±5℃

平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍 注1：TD（Turn down）是指量程比，当｜URV｜≥｜LRV｜时，TD=URL/｜URV｜当｜URV｜≤｜LRV｜时，TD=URL/｜LRV｜4、环境温度影响在-20-80℃范围内总影响量 ±（0.1+0.1TD）%量程上限5、静压影响零点影响：±0.15TD%量程上限/10MPa，满量程影响：±0.2%量程上限/10MPa6、电源影响当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化， 其零点和量程的变化应不超过 ±0.005%量程上限/V7、安装位置影响任意位置安装，*不超过400Pa可通过清零功能校正8、振动影响按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，＜0.1%量程上限9、输出信号二线制4-20mA，用户可选线性输出或平方根输出，数字过程变量叠加于4-20mA信号上，适用于任何符合HART协议的主机

声明：

本产品介绍中所有文字、数据、图片考虑到使用工况条件不同，难免会产生误差、不恰当或是有不充分的描述，故均适用于参考，同一种变送器在不同的场合与工况有不同的搭配，如果您对本文中所提供的产品内容有任何疑问，如果您是非专业人士，欢迎您向本公司，请您联系我们，我们将竭诚为您服务！
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