产品简介
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD19505KCS封装:TO220批号:23+数量:15000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:3
详情介绍
技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | CSD19505KCS |
封装: | TO220 |
批号: | 23+ |
数量: | 15000 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 80 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 76 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 300 W |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | CSD19505KCS |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
正向跨导 - 最小值: | 262 S |
下降时间: | 6 ns |
上升时间: | 16 ns |
单位重量: | 6 g |
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