电子束光刻系统

产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达
5.应用领域，如微纳器件加工，Si/GaAs

产品参数

产品参数
1.小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：1-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm

产品介绍

产品介绍
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技
术制作中是的之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。