Electron Beam Lithography System(EBL)

电子束光刻系统

日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机以其的技术，的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上科研机构以及半导体公司的青睐。其中CABL系列更是世界上的产品之一。

CRESTEC CABL系列采用的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达5小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。

由于EBL刻写精度很高，因此写满整个Wafer需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。

CRESTEC CABL系列采用其的技术使其具有的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

该图是在2英寸wafer上，采用50 um的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于10nm.（实验室数据）。

CRESTEC CABL系列还可以加工制备10 nm以下的线条，无论半导体行业还是在其它领域

CRESTEC的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。

主要特点：

1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪

2.电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达

4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达

5.应用领域，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

电子束光刻CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度

20nm(mean+2σ)，拼接精度20nm(mean+2σ)。

技术参数： 1.小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV

3.电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描电镜分辨率：小于2nm

分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括：

CABL-UH90 (90keV)、CABL-UH110 (110keV)、CABL-UH130 (130keV)

技术参数：

加速电压：130keV

单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电

电子束直径＜小线宽＜7nm

双热控制，实现超稳定直写能力

CABL-UH（130kV）系列

由于较高的加速电压，EB抗蚀剂的前向散射较小。CABL-UH模型的准确度低于10 nm。您可以根据自己的需要选择90kV，HOkV或130kV。

光束直径 lt;①

小线宽：7 nm（在130kV时）

加速电压：130 kV，110 kV或90 kV

载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）

我的特色

♦Vacc：130kV（25-130kV，5kV步进）

♦单级加速能力高达130kV，以小化EOC尺寸

♦无放电电子枪

♦光束直径 gt;

♦细线能力 lt;7nm

♦发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像

♦使用双热控制器实现超稳定的写入能力

I规格

电子发射器/

加速电压TFE（ZrO / W）Z25〜130kV

小光束直径/

小线宽 /

扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）

矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）

高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻

字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）

20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，

像素数240,000x 240，OO点©矢量扫描（标准）

10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）