EVG®6200 NT Mask Alignment System(semi-automated / automated)

EVG®6200NT 掩模对准系统（半自动/自动）

EVG®6200NT掩模对准器是用于光学双面光刻和200 mm晶圆尺寸的多功能工具。

技术数据

EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，在小的占位面积上提供了进的掩模对准技术，并具有的通量，的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，短的掩模和工具更换时间以及高效的服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。

EVG6200 NT或容纳的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在的应用中实现曝光效果，例如薄和厚抗蚀剂的曝光，深腔的图案化和可比的形貌，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVGSmartNIL技术。

特征：

晶圆/基片尺寸从200 mm / 8&＃39;’

系统设计支持光刻工艺的多功能性：

在打印模式下的吞吐量高达180 WPH，在自动对齐模式下的吞吐量高达140 WPH

易碎，薄或翘曲的多种晶圆尺寸的晶圆处理，更换时间短

带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿程序

自动原点功能，用于对准键的居中

具有实时偏移校正的动态对准功能 支持新的UV-LED技术

返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统 自动化系统上的手动基材装载功能

可以从半自动版本升级为全自动版本 小化系统占地面积和设施要求

多用户概念（数量的用户帐户和配方，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）

的软件功能以及研发与生产之间的兼容性；敏捷处理和转换重组；远程技术支持和SECS / GEM兼容性；台式或带防震花岗岩台的单机版。

附加功能：键对齐 红外对准 纳米压印光刻（NIL）；

技术数据：

曝光源：汞光源/紫外线LED光源

的对齐功能：手动对准/原位对准验证 ；自动对齐；动态对齐/自动边缘对齐

对准偏移校正算法：通量；

全自动：批生产量：每小时180片

全自动：吞吐量对齐：每小时140片晶圆

晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米

对齐方式：上侧对齐：≤± µm；底侧对齐：≤±1,0 µm；红外校准：≤±2,0 µm /基板材料，具体取决于； 键对准：≤±2,0 µm；NIL对准：≤± µm

曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

楔形补偿：全自动-SW控制；

曝光选项：间隔暴露/洪水暴露/扇区暴露

系统控制，操作系统：Windows；文件共享和备份解决方案/制配方和参数；多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR；实时远程访问，诊断和故障排除

工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理

纳米压印光刻技术：SmartNIL®；