产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NVD5117PLT4G批号:TO252-3.新年份新货封装:原装+快速报价数量:15000QQ:制造商:ONSemiconductor系列:Automotive,AEC-Q101FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Ta)
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NVD5117PLT4G |
批号: | TO252-3.新年份新货 |
封装: | 原装+快速报价 |
数量: | 15000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
FET 类型: | P 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),61A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | ,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 16 毫欧 @ 29A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | (Ta),118W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 85 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | nF @ 25 V |
- 上一篇: SI2302CDS-T1-E3 场效应管MOS管
- 下一篇: TPS62120DCNR 开关稳压器
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。