技术参数
品牌: | IXYS/艾赛斯 |
型号: | IXFN38N100P |
数量: | 6610 |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Chassis Mount |
封装 / 箱体: | SOT-227-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 1 kV |
Id-连续漏极电流: | 38 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 210 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1 kW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | IXFN38N100 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
下降时间: | 40 ns |
上升时间: | 55 ns |
典型关闭延迟时间: | 71 ns |
典型接通延迟时间: | 74 ns |
单位重量: | 30 g |
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