热激光激发显微镜采用Thermal Laser Stimulation - TLS技术,配备高清光学显微镜和高功率激光器,高精度聚焦定位集成电路板元器件进行失效分析。
热激光激发显微镜TLS的激光束可局部加热元器件,读取晶体管电流消耗数据，电子元器件失效与否。
热激光激发显微镜TLS还可以集成激光故障注入系统，实现激光斑点1um 到13um聚焦。
热激光激发显微镜TLS采用单模激光器,脉宽可从1ns到连续波模式可调，重复频率从单发射到250MHZ可调，峰值功率高达1.2W,可穿透各种集成电路板和硅片。
热激光激发显微镜TLS特色
可增配激光故障注入功能模块
激光斑点1um~13um
峰值功率高达1.2W
配备高精度XYZ定位台
高分辨率红外视图
热激光激发显微镜TLS规格参数
激光器部分参数
激光波长：1310nm 或1420nm
连续激光功率：300mW
峰值激光功率：1.2W
脉宽：3ns 到连续波
重复频率：单发射到连续波
激光斑点：1um~13um
控制命令接口：TTL/LVTTL
视图观察部分
视图：高分辨率红外相机，IR照明系统
定位台部分
轴数：XYZ三轴
行程：52mm
分辨率：0.315um
重复精度：+/-0.8um
速度：20mm/s
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