NGTB20N120IHWG, N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
IGBT 分立，On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
IGBT 分立，On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 大连续集电极电流 | 40 A |
| 大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 大栅极发射极电压 | ±20V |
| 大功率耗散 | 341 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 开关速度 | 1MHz |
| 晶体管配置 | 单 |
| 配置 | 单 |
| 长度 | 16.25mm |
| 宽度 | 5.3mm |
| 高度 | 21.4mm |
| 尺寸 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
| Board Level Components | Y |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 栅极电容 | 3590pF |
| 低工作温度 | -40 °C |
| 额定能量 | 0.92mJ |
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