数据列表 SI5853DDC;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 LITTLE FOOT®
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) ,
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 105 毫欧 @ ,
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 12nC @ 8V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 320pF @ 10V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(值) (Ta),(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
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